[1]范平,郑壮豪,梁广兴,等.离子束溅射制备Bi2Te3热电薄膜[J].深圳大学学报理工版,2011,28(No.1(001-095)):84-88.
　FAN Ping,ZHENG Zhuang-hao,LIANG Guang-xing,et al.Preparation of Bi2Te3 thermoelectric thin films by ion beam sputtering[J].Journal of Shenzhen University Science and Engineering,2011,28(No.1(001-095)):84-88.
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离子束溅射制备Bi2Te3热电薄膜()
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《深圳大学学报理工版》[ISSN:1000-2618/CN:44-1401/N]

卷:
第28卷
期数:
2011年No.1(001-095)
页码:
84-88
栏目:
材料科学
出版日期:
2011-01-10

文章信息/Info

Title:
Preparation of Bi2Te3 thermoelectric thin films by ion beam sputtering
文章编号:
1000-2618(2011)01-0084-05
作者:
范平;  郑壮豪;  梁广兴;  张东平;  蔡兴民
深圳大学物理科学与技术学院，薄膜物理与应用研究所，深圳市传感器技术重点实验室，深圳 518060
Author(s):
FAN Ping; ZHENG Zhuang-hao; LIANG Guang-xing; ZHANG Dong-ping; and CAI Xing-min
College of Physical Science and Technology,Institute of Thin Film Physics and Applications,Shenzhen key laboratory of sensor technology,Shenzhen University,Shenzhen 518060,P.R.China
关键词:
凝聚态物理; 离子束溅射; Bi2Te3薄膜; 热电材料; 晶体结构; 电学性能; 热处理
Keywords:
condensed matter physics; ion beam sputtering; Bi2Te3 thin films; thermoelectric material; crystal structure; electric properties; heat treatment
分类号:
TN 304 ； O 469
文献标志码:
A
摘要:
采用离子束溅射技术，溅射不同面积比例的Bi/Te二元复合靶，制备Bi2Te3热电薄膜，所制备的薄膜Bi∶Te原子比接近2∶3．X射线衍射测量结果显示，薄膜的主要衍射峰与Bi2Te3标准衍射峰相同，在（015）晶面上择优选向明显，存在少量的Bi和［Bi，Te］杂质峰．霍尔系数测试及Seebeck系数测量结果表明，薄膜都为n型半导体薄膜，电导率量级为105 Sm-1，电学性能良好．在不同条件下制备的薄膜Seebeck系数最大值为-168 μVK-1，最小值为-32 μVK-1．其中，Bi∶Te 原子比为0.69，退火温度为300 ℃的薄膜功率因子最大，达1.1×10-3 Wm-1K-2．
Abstract:
The Bi2Te3 thin films were prepared by ion beam sputtering from a Bi/Te fan-shaped compound target. The stoichiometries of all the samples approach the ratio of 2∶3. The XRD results indicate that the major diffraction peaks of the film match with those of Bi2Te3. The film growth exhibits preferred orientation at(015) phase and several Bi，［Bi，Te］impurity peaks are observed. Hall and Seebeck coefficient measurement reveals that all the samples are n-type with conductivity of 105 Sm-1. This confirms that the samples have nice thermoelectrically properties. The samples seebeck coefficients，with maximum of -168 μVK-1 and minimum of -32 μVK-1，are obtained from various preparation conditions. Among them，the sample annealed at 300 ℃ with stoichiometry of 0.69 has the highest Power Factor of 1.1×10-3 Wm-1K-2.

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备注/Memo

备注/Memo:
收稿日期：2010-01-18；修回日期：2010-10-26
基金项目：广东省自然科学基金资助项目（7009409）
作者简介：范平（1963-），男（汉族），福建省永定县人，深圳大学教授. E-mail：fanping@szu.edu.cn
更新日期/Last Update: 2011-01-13