[1]曹均凯,王国栋,镇磊,等.基于10Gbit s应用长波长光电二极管[J].深圳大学学报理工版,2005,22(4):319-323.
 CAO Jun-kai,WANG Guo-dong,ZHEN Lei,et al.A long wavelength photodiode for 10 Gbit/ s applications[J].Journal of Shenzhen University Science and Engineering,2005,22(4):319-323.
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基于10Gbit s应用长波长光电二极管()
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《深圳大学学报理工版》[ISSN:1000-2618/CN:44-1401/N]

卷:
第22卷
期数:
2005年4期
页码:
319-323
栏目:
光电与信息工程
出版日期:
2005-10-30

文章信息/Info

Title:
A long wavelength photodiode for 10 Gbit/ s applications
文章编号:
1000-2618(2005)04-0319-05
作者:
曹均凯王国栋镇磊梁泽潘青
深圳飞通光电股份有限公司,深圳518057
Author(s):
CAO Jun-kaiWANG Guo-dongZHEN LeiLIANG ZePAN Qing
Shenzhen Photon Technology Co Ltd Shenzhen 518057 P. R .China
关键词:
光电二极管高速光电探测器PIN光电二级管
Keywords:
photodiodehigh speed photodetector PIN-PD
分类号:
TN 312+4
文献标志码:
A
摘要:
设计制作了一种基于10 Gbit/s 应用的正照平面结构的InGaAs/InP PIN高速光电二极管.该器件带宽达到19 GHz,响应度>0. 75 A/ W,暗电流<5 nA,结电容<0.15 pF.组件测试表明,器件适用于高速光通信及测量系统中对1310 nm和1550 nm波长光的探测.
Abstract:
A planar InGaAs/InP PIN high speed photodiode (PD) was developed for 10 Gbit/s applications. It’s specifications included:3 dB bandwidth,19 GHz clock frequency,responsivity>0. 75 A/ W,dark current<5 nA,and junction capacitance<0. 15 pF. Tests in a receiver module indicate applicability for 10 Gbit/s high speed optical-fiber communication and test systems at wavelengths of 1310 nm and 1550 nm.
更新日期/Last Update: 2015-10-16