[1]陈龙康,王筠华,孙葆根,等.中国800MeV电子储存环的头尾不稳定性研究[J].深圳大学学报理工版,1996,(1-2):1-6.
　Chen LongKang,Wang Jianhua,Sun Baogen and Jin Yuming.Head – Tail Instability of 800 MeV Electron Storage Ring of China[J].Journal of Shenzhen University Science and Engineering,1996,(1-2):1-6.
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中国800MeV电子储存环的头尾不稳定性研究()
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《深圳大学学报理工版》[ISSN:1000-2618/CN:44-1401/N]

卷:
期数:
1996年1-2期
页码:
1-6
栏目:
电子与信息科学
出版日期:
1996-06-30

文章信息/Info

Title:
Head – Tail Instability of 800 MeV Electron Storage Ring of China
作者:
陈龙康1; 王筠华2; 孙葆根2; 金玉明2
深圳大学应用物理系, 深圳518060
中国科技大学国家同步辐射实验室, 合肥 230029
Author(s):
Chen LongKang;  Wang Jianhua;  Sun Baogen and Jin Yuming
Dept. of Applied Physics,Shenzhen University Shenzhen 518060, P.R.China;
National Synchrotron Radiation Lab.USTC, Hefei 230029, P.R.China
分类号:
O572.211;TL501
摘要:
我国800MeV电子储存环的头尾不稳定性阈值流强比国内外同类加速 器高出近百倍.本文从理论上和实验上论证了其原因乃是真空室中清除电极产生的 八极矩分量使得粒子自由振荡频率有一个分散性，提供了足够的朗道阻尼.
Abstract:
It is proved theoretically and experimentally that a much higher current threshold of the head-tail instability of the 800 MeV Electron Storage Ring of China is caused by the tune spread of batatron oscillation.
更新日期/Last Update: 2016-04-26